收藏本站
Typical Electrical Characteristics (continued)
15
I D = 4A
V DS = 10V
1000
12
9
20V
40V
500
200
C iss
C oss
100
6
3
50
20
f = 1 MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
3
6 9
Q g , GATE CHARGE (nC)
12
15
10
0.1
0.3
1
4
10
30
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
50
80
Figure 8. Capacitance Characteristics.
LIM
S(O
0u
1m
10m
0m
1s
10
DC
10
3
1
0.3
0.1
IT
N)
RD
V GS = 10V
SINGLE PULSE
10
s
10
s
s
s
s
60
40
20
SINGLE PULSE
R θ JA =110°C/W
T A = 25°C
R θ JA = 110 C/W
0.03
o
0.01
0.1
T A = 25°C
0.2 0.5
1
2
5
10
30
60 100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
0.5
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.05
0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 110 °C/W
P(pk)
0.01
0.005
0.01
t 1
t 2
0.002
0.001
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
NDT3055 Rev.B
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NDT451AN_J23Z MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223
NDT452AP MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
NDT454P MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
NDT456P MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
NE34018-EVGA19 EVAL BOARD NE34018 1.9GHZ
NE5520279A-EVPW09 EVAL BOARD NE5520279A 900MHZ
NE6510179A-EVPW35 EVAL BOARD NE6510179A 3.5GHZ
NE651R479A-EVPW35 EVAL BOARD NE651R479A 3.5GHZ
相关代理商/技术参数
NDT3055(J23Z) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223
NDT3055_J23Z 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDT3055-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDT Series N-Channel 60 V 0.1 O Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223
NDT3055L 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDT3055L(J23Z) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3.7A I(D) | SOT-223
NDT3055L 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-223
NDT3055L_Q 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDT3055LX 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-Channel 60V 4A SOT223